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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高工作温度： | 125 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3770-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3771-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3772-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3772-01_06 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3773-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3774-01L | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 300V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3774-01S | FUJI |
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T-pack |
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| 2SK3774-01SJ | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 300V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3775-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3776-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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