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2SK3775-01

更新时间： 2024-11-24 21:54:03
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富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
4页 95K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3775-01 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：597.4 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：300 V
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：128 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3775-01 数据手册

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2SK3775-01  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
200406  
Outline Drawings (mm)  
Features  
High speed switching, Low on-resistance  
Low driving power, Avalanche-proof  
No secondary breadown  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
F o o t P r i n t  
Equivalent circuit schematic  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
D : Drain  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Ratings  
300  
Unit  
V
Remarks  
G : Gate  
Drain-source voltage  
VDS  
VDSX  
ID  
300  
V
VGS=-30V  
Continuous Drain Current  
±32  
A
S1 : Source  
2.4  
±
A
Ta=25°C  
S2 : Source  
Pulsed Drain Current  
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±128  
±30  
A
Note *1:Surface mounted on 1000mm2,t=1.6mm  
FR-4 PCB(Drain pad area:500mm2)  
Gate-Source Voltage  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
V
32  
A
Note *2  
Note *3  
<
Note *2:Tch 150°C,Repetitive and Non-repetitive  
=
EAS  
597.4  
mJ  
Note *3:StartingTch=25°C,IAS=13A,L=6.13mH,  
Maximum Avalanche Energy  
Repetitive  
VCC=48V,RG=50Ω  
EAR  
27  
mJ  
Note *4  
<
EAS limited by maximum channel temperature  
and avalanch current.  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. Power Dissipation  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
kV/µs VDS 300V  
=
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *4:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Theemal impedance’  
graph  
Note *5  
kV/µs  
W
270  
Tc=25°C  
2.40  
Ta=25°C Note*1  
Operating and Storage  
Temperature range  
Tch  
+150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
<
<
<
Note *5:IF -ID, -di/dt=50A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
Drain-Source Breakdown Voltaget  
Gate Threshold Voltage  
300  
3.0  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=300V VGS=0V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=240V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
nA  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transcondutance  
Input Capacitance  
RDS(on)  
gfs  
ID=16A VGS=10V  
0.10  
0.13  
Ω
12  
24  
1970  
335  
20  
S
ID=16A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
2955  
502  
30  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output Capacitance  
f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
ns  
VCC=180V ID=16A  
29  
44  
7.5  
11  
VGS=10V  
57  
86  
td(off)  
tf  
Turn-Off Time toff  
RGS=10 Ω  
7
10.5  
44.5  
18.0  
13.5  
67.0  
27.0  
20.5  
QG  
VCC=150V  
ID=32A  
nC  
Total Gate Charge  
QGS  
QGD  
VSD  
trr  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
0.90  
270  
3.0  
1.50  
IF=32A VGS=0V Tch=25°C  
IF=32A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
ns  
µC  
Qrr  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Test Conditions  
channel to case  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
0.463 °C/W  
°C/W  
87.0  
°C/W  
52.0  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
channel to ambient  
Rth(ch-a) *1  
*1 Surface mounted on 1000mm2, t=1.6mm FR-4 PCB(Drain pad area : 500mm2)  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
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