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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3762
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2SK3762

更新时间： 2024-10-30 04:26:31
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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2SK3762 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：62 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NOBase Number Matches：1

2SK3762 数据手册

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2SK3762  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSⅣ)  
2SK3762  
unit：ｍｍ  
Switching Regulator Applications  
.7x  
4.7 max  
10.5 max  
3.84±0.2  
1.3  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 2.0 S (typ.)  
= 5.6Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
DSS  
= 100 μA (V  
= 720 V)  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
DS  
Enhancement-mode: V = 2.0~4.0 V (V  
th  
DS  
Maximum Ratings (Ta  
= 25°C)  
1.5 max  
0.81  
0.45  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
V
V
900  
900  
±30  
2.5  
V
V
V
A
DSS  
DGR  
GSS  
2.7  
7  
Drain-gate voltage (R = 20 kW)  
2.54
GS  
1
2
3
Gate-source voltage  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
Pulse (t = 1 ms)  
I
7.5  
62  
DP  
(Note 1)  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
1. Gate  
2. Drain(HEAT SINK)  
3. Source  
Single pulse avalanche energy  
E
21.6  
mJ  
AS  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
2.5  
6.2  
A
AR  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
AR  
mJ  
°C  
°C  
JEDEC  
TO-220AB  
SC-46  
―
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
-55~150  
JEITA  
TOSHIBA  
Weight : 2.0g(typ.)  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
2.02  
83.3  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C, L = 6.3 mH, I = 2.5 A, R = 25 W  
1
DD ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
3
2004-02-26  
1
123456

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