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2SK3693-01MR

更新时间： 2024-11-16 03:05:35
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三洋 - SANYO 晶体晶体管开关脉冲局域网
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4页 108K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3693-01MR 数据手册

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2SK3693-01MR  
200305  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
TO-220F  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
Ratings  
Unit  
V
450  
450  
±17  
±68  
±30  
17  
VDSX *5  
ID  
V
A
Equivalent circuit schematic  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
ID(puls]  
VGS  
IAR  
A
Gate-source voltage  
V
Drain(D)  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
*2  
*1  
A
EAS  
221.9  
20  
mJ  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
kV/µs  
*3  
5
kV/µs  
W
Gate(G)  
°C  
°C  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
2.16  
80  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
+150  
-55 to +150  
2000  
°C  
°C  
V
Tstg  
Viso *6  
<
*1 L=1.41mH, Vcc=45V, Tch=25°C See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*4 VDS 450V *5 VGS=-30V  
*6 f=6-Hz, t=60sec.  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
450  
3.0  
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
µ
5.0  
25  
V
ID= 250 A  
VDS=VGS  
µA  
VDS=450V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=360V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=8.5A VGS=10V  
ID=8.5A VDS=25V  
VDS=25V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
0.29  
0.38  
Ω
7
14  
1275  
200  
S
Ciss  
1900  
300  
14  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
9.5  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=300V ID=8.5A  
ns  
27  
40  
27  
40  
VGS=10V  
48  
72  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
7
11  
33  
50  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=225V  
ID=17A  
13.5  
10.5  
20.3  
16  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
17  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=1.41mH Tch=25°C  
1.20  
1.80  
VSD  
trr  
Qrr  
V
IF=17A VGS=0V Tch=25°C  
IF=17A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
0.57  
6.5  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.563  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
1234

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