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2SK3700

更新时间： 2024-09-28 04:26:31
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东芝 - TOSHIBA 稳压器开关
页数 文件大小 规格书
6页 260K
描述
Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK3700 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.31雪崩能效等级（Eas）：351 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3700 数据手册

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2SK3700  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅣ)  
2SK3700  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 2.0 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 4.5 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 720 V)  
DSS  
DS  
Enhancement model: V = 2.0 ～ 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
900  
900  
±30  
5
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
D
Drain current  
A
1. GATE  
I
15  
DP  
2. DRAIN (HEAT SINK)  
3. SOURCE  
Drain power dissipation  
P
150  
W
D
Single pulse avalanche energy  
E
I
351  
mJ  
AS  
JEDEC  
JEITA  
―
―
(Note 2)  
Avalanche current  
5
15  
A
AR  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
2-16C1B  
T
150  
ch  
Weight: 4.6 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
0.833  
50  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the temperature does not exceed 150℃.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 25.7mH, R = 25 Ω, I = 5 A  
AR  
V
DD  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2006-11-13  
123456

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