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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3699-01MR
2SK3699-01MR PDF预览

2SK3699-01MR

更新时间： 2024-09-28 07:32:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3699-01MR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.73Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：171.1 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：4.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14.8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3699-01MR 数据手册

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2SK3699-01MR  
200305  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
TO-220F  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
Ratings  
Unit  
V
900  
900  
VDSX *5  
ID  
V
Equivalent circuit schematic  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
±3.7  
A
ID(puls]  
VGS  
±14.8  
±30  
3.7  
A
Gate-source voltage  
V
Drain(D)  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR  
*2  
*1  
A
EAS  
171.1  
40  
mJ  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
kV/µs  
*3  
5
kV/µs  
W
Gate(G)  
°C  
°C  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
2.16  
43  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
+150  
-55 to +150  
2000  
°C  
Tstg  
°C  
VISO  
*6  
Vrms  
<
=
*1 L=22.9mH, Vcc=90V, Tch=25°C See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*4 VDS 900V *5 VGS=-30V  
*6 f=60Hz, t=60sec.  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
900  
3.0  
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
µ
5.0  
25  
V
ID= 250 A  
VDS=VGS  
µA  
VDS=900V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=720V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=1.85A VGS=10V  
ID=1.85A VDS=25V  
VDS=25V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
3.31  
4.30  
Ω
2
4
430  
60  
S
Ciss  
650  
90  
5
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
3.5  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=600V ID=1.85A  
ns  
19  
29  
11  
48  
26  
7
VGS=10V  
32  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
17  
16.5  
6.4  
3.7  
24.8  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=450V  
9.6  
5.6  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
ID=3.7A  
VGS=10V  
3.7  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=22.9mH Tch=25°C  
0.9  
1.0  
4.0  
1.50  
VSD  
trr  
Qrr  
V
IF=3.7A VGS=0V Tch=25°C  
IF=3.7A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
2.907  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
1234

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与2SK3699-01MR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK369BL ETC

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 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 8MA I(DSS) | TO-92
2SK369-BL TOSHIBA

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 		For Low Noise Audio Amplifier Applications
2SK369GR ETC

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 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | TO-92
2SK369-GR TOSHIBA

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 		Silicon N Channel Junction Type For Low Noise Audio Amplifier Applications
2SK3700 TOSHIBA

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2SK3700(F) TOSHIBA

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 		MOSFET N-CH 900V 5A SC-67

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