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2SK3709

更新时间： 2024-09-17 07:32:35
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三洋 - SANYO 晶体开关晶体管脉冲通用开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
General-Purpose Switching Device Applications

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2SK3709 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
雪崩能效等级（Eas）：427 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：37 A最大漏极电流 (ID)：37 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：148 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3709 数据手册

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Ordering number : ENN8023  
N-Channel Silicon MOSFET  
General-Purpose Switching Device  
Applications  
2SK3709  
Features  
• Low ON-resistance.  
•
4V drive.  
•
Motor driver, DC / DC converter.  
•
Avalanche resistance guarantee.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
100  
±20  
37  
DSS  
GSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
I
D
A
Drain Current (Pulse)  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
148  
2.0  
35  
A
DP  
W
W
°C  
°C  
mJ  
A
Allowable Power Dissipation  
P
D
Tc=25°C  
Channel Temperature  
Tch  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
--55 to +150  
Avalanche Enargy (Single Pulse) *1  
Avalanche Current *2  
E
427  
37  
AS  
I
AV  
*1 V =20V, L=500µH, I =37A  
DD  
AV  
*2 L≤500µH, single pulse  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
100  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0  
D GS  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
I
V
V
V
V
=100V, V =0  
GS  
1
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
= ±16V, V =0  
DS  
±10  
V
(off)  
GS  
=10V, I =1mA  
1.2  
25  
2.6  
D
Forward Transfer Admittance  
yfs  
=10V, I =19A  
36  
S
D
R
(on)1  
I
I
=19A, V =10V  
GS  
19  
23  
25  
32  
mΩ  
mΩ  
DS  
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
DS  
(on)2  
=19A, V =4V  
D GS  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
21405QA TS IM TB-00000494 No.8023-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Low on-resistance

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