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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 2-4E1C, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.3 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK371 | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK371_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel Junction Type For Low Noise Audio Amplifier Applications |
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| 2SK3710 | ALLEGRO |
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Power Field-Effect Transistor, TO-220S, 3 PIN |
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| 2SK3711 | SANKEN |
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Low on-resistance |
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| 2SK3711 | ALLEGRO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MT-100, TO-3P, 3 |
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| 2SK3711_07 | SANKEN |
获取价格 |
Low on-resistance |
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| 2SK3712 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3712 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3712 | TYSEMI |
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High voltage: VDSS = 250 V Gate voltage rating: -30 V Built-in gate protection diode |
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| 2SK3712(0)-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,250V V(BR)DSS,9A I(D),TO-251AA |
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