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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3696-01MR
2SK3696-01MR PDF预览

2SK3696-01MR

更新时间： 2024-09-28 07:32:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3696-01MR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：202 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3696-01MR 数据手册

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2SK3696-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
200309  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
TO-220F  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol Ratings  
Unit  
Remarks  
V
Drain-source voltage  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Non-Repetitive  
VDS  
ID  
500  
±13  
±52  
±30  
13  
A
A
V
A
ID(puls]  
VGS  
IAS  
<
Tch 150°C  
=
Maximum avalanche current  
Non-Repetitive  
EAS  
202  
mJ  
*1  
Equivalent circuit schematic  
Maximum avalanche energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Peak diode recovery -di/dt  
Max. power dissipation  
<
dVDS/dt  
dV/dt  
-di/dt  
PD  
20  
5
kV/s  
kV/µs  
A/µs  
W
VDS 500V  
=
*2  
Drain(D)  
100  
*3  
2.16  
Ta=25°C  
Tc=25°C  
70  
+150  
Gate(G)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation voltage  
Tch  
°C  
Tstg  
VISO  
-55 to +150  
2
°C  
Source(S)  
t=60sec f=60Hz  
kVrms  
*1 L=2.20mH, Vcc=50V, Starting Tch=25°C,See to Avalanche Energy Graph  
*2 IF -ID, -di/dt=100A/µs, VCC BVDSS, Tch 150°C  
<
<
<
=
=
=
*3 IF -ID, dV/dt=5kV/µs, VCC BVDSS, Tch 150°C  
<
<
<
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Test Conditions  
Item  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
V
500  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
mA  
nA  
VDS=500V VGS=0V  
10  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
VDS=400V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
1.0  
10  
0.42  
2
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
100  
ID=6.5A VGS=10V  
Ω
0.55  
S
ID=6.5A VDS=25V  
VDS=25V  
5.5  
11  
1100  
165  
9
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
1650  
250  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
13.5  
ns  
VCC=300V ID=6.5A  
23  
35  
11  
71  
12  
42  
15  
14  
VGS=10V  
6.5  
47  
7.5  
Turn-off time toff  
td(off)  
tf  
RGS=10 Ω  
VCC=250V  
ID=13A  
nC  
Total Gate Charge  
QG  
28  
10  
9
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
QGS  
QGD  
IAV  
VGS=10V  
L=2.20mH Tch=25°C  
A
13  
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=13A VGS=0V Tch=25°C  
IF=13A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
1.05  
120  
0.5  
1.60  
250  
1.2  
V
VSD  
ns  
µC  
trr  
Qrr  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.79  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
1234

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