2SK3641-ZK

更新时间： 2024-11-15 22:10:43

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关
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8页	167K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3641-ZK 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-252, MP-3ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.014 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3641-ZK 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3641

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

PART NUMBER

PACKAGE

The 2SK3641 is N-channel MOS FET device that features a low

on-state resistance and excellent switching characteristics, and

designed for low voltage high current applications such as

DC/DC converter with synchronous rectifier.

2SK3641-ZK

TO-252 (MP-3ZK)

FEATURES

• Low on-state resistance

(TO-252)

R^DS(on)1= 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

R^DS(on)2= 25 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A)

• Low C^iss: Ciss = 930 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (TC = 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

±20

±36

±140

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation

°C

PT2

1.0

Channel Temperature

Tch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 15 V, RG = 25 Ω, L = 100 µH, VGS = 20 → 0 V

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D15969EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark shows major revised points.

Date Published January 2005 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3641-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252
2SK3642	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3642-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3642-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,64A I(D),TO-252
2SK3643	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3643	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3643	TYSEMI	获取价格	Low on-state resistance RDS(on)1 =6 m MAX. Low Ciss: Ciss = 2400pF TYP.
2SK3643-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3643-ZK-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,64A I(D),TO-252
2SK3644-01	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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