是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 64 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高工作温度: | 150 °C | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3643-ZK-E1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,64A I(D),TO-252 |
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2SK3644-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK3645-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK3646-01L | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK3646-01S | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK3646-01SJ | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK3647-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK3648-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK3649-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK364BL | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92 |
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