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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3651-01R
2SK3651-01R PDF预览

2SK3651-01R

更新时间： 2024-09-29 04:26:31
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 111K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3651-01R 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：372 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3651-01R 数据手册

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2SK3651-01R  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
200  
Unit  
V
Drain-source voltage  
V
VDSX *5  
ID  
220  
±25  
±100  
±30  
25  
A
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
V
A
Non-repetitive Avalanche current IAS *2  
Drain(D)  
mJ  
kV/µs  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
EAS *1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
372  
20  
kV/µs  
W
5
°C  
°C  
3.10  
Gate(G)  
85  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation voltage  
Tch  
°C  
Source(S)  
Tstg  
°C  
VISO *6  
2
kVrms  
<
<
<
<
*1 L=1mH, Vcc=48V  
*2 Tch 150°C  
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
=
<
*4 VDS 250V  
*5 VGS=-30V *6 t=60sec f=60Hz  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
V
250  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=250V VGS=0V  
VDS=200V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
100  
VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
VGS=±30V  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
10  
75  
ID=12.5A VGS=10V  
mΩ  
S
ID=12.5A VDS=25V  
VDS=75V  
8
16  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
2000  
400  
25  
3000  
600  
38  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=72V ID=12.5A  
20  
30  
30  
45  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
60  
90  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
20  
30  
VCC=72V  
44  
66  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
14  
21  
ID=12A  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
16  
24  
VGS=10V  
25  
L=100µH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.10  
1.65  
IF=25A VGS=0V Tch=25°C  
IF=25A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
VSD  
V
0.45  
1.5  
trr  
Qrr  
µs  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.471  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
40.0  
°C/W  
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3652 KEXIN

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 		N-channel Enhancement Mode MOSFET
2SK3652 TYSEMI

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