5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 2-4E1C, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK365_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel Junction Type For Audio Amplifier, Analog-Switch, Constant Current and I |
|
| 2SK3650-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3650-01S | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3650-01SJ | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3651-01MR | ETC |
获取价格 |
STD LQg MOSFET |
|
| 2SK3651-01R | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3652 | KEXIN |
获取价格 |
N-channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| 2SK3652 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance, low Qg High avalanche resistance For high-speed switching |
|
| 2SK3653 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK3653-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
