2SK3653CEE

更新时间： 2024-11-16 13:04:27

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日电电子 - NEC		晶体转换器小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	124K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, 0814, SOF-3

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2SK3653CEE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOF	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最大漏极电流 (ID)：	0.01 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3653CEE 数据手册

DATA SHEET

^{JUNCTION FIELD EF}2^FES^CTK^TR3^A6^NS5^IS3^TOB^R

N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The 2SK3653B is suitable for converter of ECM.

+0.1

0.3 0.0ꢀ

0.13

–0.0ꢀ

General-purpose product.

FEATURES

0 to 0.0ꢀ

• Low noise:

−108.5 dB TYP. (V^DD= 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 kΩ)

• Especially suitable for audio and telephone

• Super thin thickness package:

t = 0.37 mm TYP.

0.4ꢀ

1.4 0.1

MAX. 0.4

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

2SK3653B

3pXSOF (0814)

+0.1

–0

0.2

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain to Source Voltage (VGS = −1.0 V)

Gate to Drain Voltage

Drain Current

VDSX

V^GDO

I^D

−20

°C

Gate Current

I^G

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

100

T^j

125

1: Source

2: Drain

3: Gate

T^stg

−55 to +125

°C

Caution Please take care of ESD (Electro Static Discharge) when you handle the device in this document.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D17284EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2004

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3653CEF	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653CEH	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653CEJ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653J2	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653J2-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653J2-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,38UA I(DSS),SOT-416VAR
2SK3653J2-T1-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,38UA I(DSS),SOT-416VAR
2SK3653J2-T1-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,38UA I(DSS),SOT-416VAR
2SK3653J3	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653J3-T1-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,56UA I(DSS),SOT-416VAR

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