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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3646-01SJ
2SK3646-01SJ PDF预览

2SK3646-01SJ

更新时间： 2024-11-16 04:26:31
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 245K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3646-01SJ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：204.7 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：41 A
最大漏源导通电阻：0.044 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：164 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3646-01SJ 数据手册

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2SK3646-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
P4  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
100  
Unit  
V
Drain-source voltage  
V
VDSX *5  
ID  
70  
±41  
±164  
±30  
41  
Equivalent circuit schematic  
A
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
A
ID(puls]  
VGS  
V
Drain(D)  
A
Non-repetitive Avalanche current IAS *2  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
EAS *1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
204.7  
20  
5
Gate(G)  
°C  
°C  
1.67  
Source(S)  
150  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Tstg  
<
*1 L=146µH, Vcc=48V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph  
*2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*4 VDS 100V  
*5 VGS=-30V  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
µ
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
V
100  
µ
ID= 250 A  
V
3.0  
5.0  
25  
µA  
Tch=25°C  
VDS=100V VGS=0V  
VDS=80V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
44  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
10  
34  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=15A VGS=10V  
mΩ  
S
9
18  
ID=15A VDS=25V  
VDS=75V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
1110  
280  
22  
1665  
420  
33  
pF  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=48V ID=15A  
ns  
16  
24  
23  
35  
VGS=10V  
31  
47  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
16  
24  
32  
48  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=50V  
ID=30A  
13  
20  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
9
14  
VGS=10V  
41  
µ
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=146 H Tch=25°C  
1.10  
1.65  
VSD  
V
IF=30A VGS=0V Tch=25°C  
IF=30A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
0.1  
trr  
Qrr  
µs  
µC  
0.38  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.833  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd  
1
1234

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