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2SK3643

更新时间： 2024-01-28 04:30:01

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MOS Field Effect Transistor

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2SK3643 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	64 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SK3643 数据手册

SMD Type

MOSFICET

MOS Field Effect Transistor

2SK3643

TO-252

Unit: mm

+0.15

6.50

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

Features

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

Low on-state resistance

R^DS(on)1=6 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 32A)

RDS(on)2 =9 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 32 A)

Low Ciss: Ciss = 2400pF TYP.

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

256

Power dissipation

T^C=25

T^A=25

P^D

1.0

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

IDSS

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

VDS=30V,VGS=0

VGS= 20V,VDS=0

VDS=10V,ID=1mA

VDS=10V,ID=32A

VGS=10V,ID=32A

VGS=4.5V,ID=32A

Gate leakage current

Gate cut off voltage

I^GSS

100

2.5

V^GS(off)

1.5

Forward transfer admittance

4.7

6.3

Yfs

R^DS(on)1

Drain to source on-state resistance

RDS(on)2

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

C^rss

t^on

2400

920

320

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

t^r

I^D=32A,VGS(on)=10V,RG=10 ,VDD=15V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q^G

Q^GS

Q^GD

V^DD= 24V

V^GS= 10 V

ID =64A

8.4

www.kexin.com.cn

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