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2SK3434-Z-AZ

更新时间： 2024-11-18 21:16:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	79K
描述
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN

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2SK3434-Z-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.3
雪崩能效等级（Eas）：	78 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.031 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3434-Z-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3434

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

PART NUMBER

2SK3434

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

The 2SK3434 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

2SK3434-S

2SK3434-ZJ

2SK3434-Z

FEATURES

TO-263

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 20 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 24 A)

R^DS(on)2= 31 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 24 A)

• Low C^iss: C^iss= 2100 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

TO-220SMD^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

±48

±120

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

P^T

1.5

°C

(TO-262)

Tch

150

Storage Temperature

Tstg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14603EJ3V0DS00 (3rd edition)

1999, 2001

The mark ★ shows major revised points.

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3434-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 60V 48A 0.02Mohm Mp-25Z/To-220Smd, MP-25Z, /Embossed Tape
2SK3434-ZJ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 48A I(D) \| TO-263AB
2SK3434-ZJ	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
2SK3434-ZJ-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3434-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 60V 48A 20Mohm, MP-25ZJ, /Embossed Tape
2SK3435	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3435	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3435	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 14m MAX. (VGS= 10 V, ID = 40A)
2SK3435-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3435-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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