Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3434-ZJ-AZ

2SK3434-ZJ-AZ

更新时间： 2024-11-18 13:01:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN

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2SK3434-ZJ-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.17
雪崩能效等级（Eas）：	78 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.031 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3434-ZJ-AZ 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3434

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3434

The 2SK3434 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3434-S

FEATURES

2SK3434-Z

TO-220SMD

• Super low on-state resistance:

DS(on)1

= 20 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 24 A)

(TO-220AB)

★

DS(on)2

= 31 mΩ MAX. (V = 4.0 V, I = 24 A)

iss

• Low C : C = 2100 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

±48

(TO-262)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

±192

°C

★

P^T

1.5

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

★

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

(TO-220SMD)

2. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

★

Channel to Case

R^th(ch-C)

R^th(ch-A)

2.23

83.3

°C/W

Channel to Ambient

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Document No.

Date Published March 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14603EJ1V0DS00 (1st edition)

1999, 2000

12 3 4

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与2SK3434-ZJ-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3434-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 60V 48A 20Mohm, MP-25ZJ, /Embossed Tape
2SK3435	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3435	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3435	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 14m MAX. (VGS= 10 V, ID = 40A)
2SK3435-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3435-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3435-S-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3435-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3435-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3435-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Power MOSFETs for Automotive, MP-25Z, /

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