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2SK3044

更新时间： 2024-11-28 22:52:55

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松下 - PANASONIC		/
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描述
Silicon N-Channel Power F-MOS FET

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2SK3044 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.75 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SK3044 数据手册

Power F-MOS FETs

2SK3044

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

■ Features

● Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 130mJ

unit: mm

● V_GSS= ±30V guaranteed

● High-speed switching: t_f= 50ns

● No secondary breakdown

4.6±0.2

9.9±0.3

2.9±0.2

φ3.2±0.1

■ Applications

● Contactless relay

● Diving circuit for a solenoid

● Driving circuit for a motor

● Control equipment

1.4±0.2

2.6±0.1

1.6±0.2

● Switching power supply

0.8±0.1

0.55±0.15

■ Absolute Maximum Ratings (T_C= 25°C)

2.54±0.3

5.08±0.5

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Gate

2: Drain

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

450

3: Source

TO-220D Package

Gate to Source voltage

Pulse

Avalanche energy capacity

V_GSS

I_D

±30

±7

Drain current

I_DP

±14

EAS^*

100

Allowable power

dissipation

T_C= 25°C

Ta = 25°C

P_D

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

°C

T_stg

−55 to +150

L = 4.1mH, I_L= 8A, V_DD= 50V, 1 pulse

■ Electrical Characteristics (T_C= 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

V_DS= 360V, V_GS= 0

V_GS= ±30V, V_DS= 0

I_D= 1mA, V_GS= 0

V_DS= 25V, I_D= 1mA

V_GS= 10V, I_D= 4A

V_DS= 25V, I_D= 4A

I_DR= 8A, V_GS= 0

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

0.1

±1

I_GSS

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

450

Gate threshold voltage

V_th

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

Diode forward voltage

R_DS(on)

| Y_fs|

V_DSF

0.56

0.75

Ω

−1.7

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

1300

160

V_DS= 20V, V_GS= 0, f = 1MHz

Turn-on time (delay time)

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10V, I_D= 4A

Turn-off time (delay time)

Fall time

V_DD= 150V, R_L= 37.5Ω

150

12 3

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