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2SK2845(2-7B5B)

更新时间： 2024-01-14 14:12:13
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 398K
描述
TRANSISTOR 1 A, 900 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B5B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK2845(2-7B5B) 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-64
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.29雪崩能效等级（Eas）：324 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：3 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2845(2-7B5B) 数据手册

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2SK2845  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π−MOSIII)  
2SK2845  
Unit: mm  
Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive  
6.8 MAX.  
Applications  
5.2 ± 0.2  
0.6 MAX.  
z Low drain-source ON-resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 8.0 Ω (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 0.9 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : I  
= 100 μA (max) (V  
= 720 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = 2.0 to 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
0.95 MAX.  
0.6 ± 0.15  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.6 MAX.  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
2.3 2.3  
V
900  
900  
±30  
1
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
1
2
3
2
V
GSS  
1. GATE  
2. DRAIN  
（HEAT SINK）  
3. SOURSE  
1
DC (Note 1)  
I
D
Drain current  
A
3
Pulse (Note 1)  
I
3
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single-pulse avalanche energy  
P
40  
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
―
JEITA  
SC-64  
2-7B5B  
E
324  
mJ  
(Note 2)  
TOSHIBA  
Avalanche current  
I
1
4.0  
A
Weight: 0.36 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
T
150  
ch  
6.8 MAX.  
5.2 ± 0.2  
Storage temperature range  
−55 to 150  
0.6 MAX.  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
0.6 ± 0.15  
0.95 MAX.  
0.6 ± 0.15  
0.6 MAX.  
2.3  
2.3  
1
2
3
2.3 2.3  
Thermal Characteristics  
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
（HEAT SINK）  
3. SOURSE  
1
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
3.125  
125  
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
R
th (ch−a)  
JEDEC  
―
―
JEITA  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 594 mH, R = 25 Ω, I  
V
DD  
= 1 A  
AR  
ch  
G
TOSHIBA  
2-7B7B  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel  
temperature  
Weight: 0.36 g (typ.)  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2009-07-13  
123456

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与2SK2845(2-7B5B)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2845(2-7B7B) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 1 A, 900 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B7B, SC-64, 3 PI
2SK2845(SM) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,1A I(D),TO-251AA
2SK2845(TE16L1,Q) TOSHIBA

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2SK2845_06 TOSHIBA

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 		Silicon N-Channel MOS Type Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications
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 		Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications
2SK2845B2B TOSHIBA

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 		2SK2845B2B
2SK2846 TOSHIBA

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2SK2846(TP) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,2A I(D),TO-221
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