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2SK2848

更新时间： 2024-02-28 03:04:35
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN /
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
MOSFET

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2SK2848 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.38
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

2SK2848 数据手册

  
2SK2848  
External dimensions  
1 ...... FM20  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Conditions  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
min  
600  
max  
V(BR) DSS  
V
nA  
µA  
V
I
=
GS  
DS  
DS  
DS  
GS  
100µA, V  
= 0V  
GS  
D
VDSS  
VGSS  
ID  
600  
V
V
I
I
±
100  
100  
4.0  
V
V
V
V
V
= ±30V  
GSS  
DSS  
±30  
=
=
=
=
600V, V  
= 0V  
GS  
±2  
A
V
TH  
2.0  
1.2  
3.0  
1.7  
3.0  
290  
70  
10V, I  
20V, I  
10V, I  
=
=
=
250µA  
1A  
D
D
D
1
ID (pulse)  
±8  
A
*
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
S
3.8  
Ω
1A  
PD  
EAS  
30 (Tc = 25ºC)  
W
mJ  
A
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
2
10  
*
V
V
=
=
10V, f  
0V  
=
1.0MHz,  
DS  
Coss  
Crss  
GS  
IAS  
2
150  
30  
Tch  
Tstg  
ºC  
ºC  
td (on)  
16  
ID = 1A, VDD 250V,  
RL = 250Ω, VGS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
t
30  
r
–55 to +150  
td (off)  
45  
1: PW 100µs, duty cycle 1%  
2: VDD = 30V, L = 5mH, IL = 2.0A, unclamped, RG = 50Ω,  
See Figure 1 on Page 5.  
*
*
t
145  
0.9  
f
V
SD  
1.4  
I
=
2.0A, V  
= 0V  
SD  
GS  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
4
3
2
2.0  
2.0  
1.5  
1.0  
10V  
VDS = 20V  
VGS = 10V  
5.5V  
1.5  
1.0  
5V  
4.5V  
0.5  
0
1
0
0.5  
0
TC = –55ºC  
25ºC  
125ºC  
V
GS = 4V  
0
5
10  
VDS (V)  
15  
20  
0
2
4
6
8
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
150  
150  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
20  
15  
10  
5
8
VDS = 20V  
ID = 1A  
VGS = 10V  
T
C = –55ºC  
25ºC  
6
4
2
0
125ºC  
1
ID = 2A  
ID = 1A  
0.5  
5
0
0.2  
0.05  
4
5
10  
20  
0.1  
0.5  
1
2
–50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
1000  
500  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
10  
5
V
GS = 0V  
f= 1MHz  
30  
ID (pulse) max  
ID max  
Ciss  
20  
10  
0
1
100  
50  
0.5  
VGS = 0V  
5V,10V  
Coss  
0.1  
Crss  
40  
Without heatsink  
0.05  
0.03  
10  
0
10  
20  
30  
50  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
0
0.5  
1.0  
1.5  
3
5
10  
50 100  
VDS (V)  
500 700  
VDS (V)  
VSD (V)  
44  
1

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