5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2790 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-221VAR |
|
| 2SK2791 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2792 | ROHM |
获取价格 |
Switching (600V, 4A) |
|
| 2SK2793 | ROHM |
获取价格 |
Switching (500V, 5A) |
|
| 2SK2794 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK2794CX | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
|
| 2SK2794CXTB | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
|
| 2SK2794CXUB | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
|
| 2SK2795 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
|
| 2SK2795DX | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
