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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.4 | 最小漏源击穿电压： | 10 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.7 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK2795 | HITACHI | Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
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| 2SK2795DX | HITACHI | 暂无描述 |
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| 2SK2795DXTL | HITACHI | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| 2SK2795DXTR | RENESAS | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| 2SK2795DXUL | HITACHI | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| 2SK2796 | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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