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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2795DXUL | HITACHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| 2SK2796 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2796 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2796(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251 |
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| 2SK2796(L)-(1) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,5A I(D),TO-251VAR |
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| 2SK2796(L)|2SK2796(S) | ETC |
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| 2SK2796(S) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
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| 2SK2796(S)-(1) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2796(S)-(2) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,5A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK2796(S)-(3) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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