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2SK2800-E

更新时间: 2024-02-07 20:37:29
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2800-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SC-46, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.21外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.04 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2800-E 数据手册

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2SK2800  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1035-0900  
(Previous: ADE-208-513G)  
Rev.9.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 15 mtyp.  
High speed switching  
Low drive current  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A  
(Package name: TO-220AB)  
D
1. Gate  
G
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
1
2
3
S
Rev.9.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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