生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3PF |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.83 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | UL APPROVED | 雪崩能效等级(Eas): | 550 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 450 V | 最大漏极电流 (ID): | 15 A |
最大漏源导通电阻: | 0.38 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2806 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2806-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2806-01_05 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK2807-01 | ETC |
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2SK2807-01L | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2807-01L_05 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK2807-01S | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2808 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2808-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2808-01MR_05 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |