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2SK2805

更新时间: 2024-11-18 22:32:39
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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1页 28K
描述
MOSFET

2SK2805 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PF
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.83Is Samacsys:N
其他特性:UL APPROVED雪崩能效等级(Eas):550 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.38 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2805 数据手册

  
2SK2805  
External dimensions  
2 ...... FM100  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
450  
max  
V(BR) DSS  
IGSS  
IDSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 100µA, VGS = 0V  
VGS = ±30V  
VDSS  
VGSS  
ID  
450  
±30  
V
V
±100  
100  
4.0  
VDS = 450V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 1mA  
VDS = 20V, ID = 7.5A  
VGS = 10V, ID = 7.5A  
±15  
A
VTH  
2.0  
8.0  
3.0  
11.5  
0.30  
2100  
430  
210  
35  
1
ID (pulse)  
±60  
A
*
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
Coss  
Crss  
td (on)  
tr  
S
0.38  
PD  
EAS  
80 (Tc = 25ºC)  
550  
W
mJ  
A
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
2
*
VDS = 10V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
IAS  
15  
Tch  
Tstg  
150  
ºC  
ºC  
ID = 7.5A, VDD 200V,  
RL = 26.7, VGS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
45  
55 to +150  
td (off)  
tf  
130  
60  
1: PW 100µs, duty cycle 1%  
2: VDD = 30V, L = 4.6mH, IL = 15A, unclamped, RG = 50,  
See Figure 1 on Page 5.  
*
*
VSD  
0.95  
1.4  
ISD = 15A, VGS = 0V  
43  

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