2SK2805

更新时间： 2024-01-14 04:07:43

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MOSFET

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2SK2805 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL APPROVED	雪崩能效等级（Eas）：	550 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.38 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2805 数据手册

2SK2805

External dimensions

2 ...... FM100

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

(Ta = 25ºC)

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

Conditions

min

450

max

V_{(BR) DSS}

I_GSS

I_DSS

µA

I_D= 100µA, V_GS= 0V

V_GS= ±30V

V_DSS

V_GSS

I_D

450

±30

±100

100

4.0

V_DS= 450V, V_GS= 0V

V_DS= 10V, I_D= 1mA

V_DS= 20V, I_D= 7.5A

V_GS= 10V, I_D= 7.5A

±15

V_TH

2.0

8.0

3.0

11.5

0.30

2100

430

210

I_{D (pulse)}

±60

Re _(yfs)

R_{DS (on)}

Ciss

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

0.38

Ω

P_D

E_AS

80 (Tc = 25ºC)

550

V_DS= 10V, f = 1.0MHz,

V_GS= 0V

I_AS

Tch

Tstg

150

ºC

I_D= 7.5A, V_DD200V,

R_L= 26.7Ω, V_GS= 10V,

See Figure 2 on Page 5.

–55 to +150

t_{d (off)}

t_f

130

1: P_W100µs, duty cycle 1%

2: V_DD= 30V, L = 4.6mH, I_L= 15A, unclamped, R_G= 50Ω,

See Figure 1 on Page 5.

V_SD

0.95

1.4

I_SD= 15A, V_GS= 0V

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