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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK2802ZV-TR | RENESAS | 0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2802ZV-UL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2802ZV-UL | RENESAS | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2802ZV-UR | HITACHI | 暂无描述 |
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| 2SK2802ZV-UR | RENESAS | 0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2803 | SANKEN | MOSFET |
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