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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2809-01MR
2SK2809-01MR PDF预览

2SK2809-01MR

更新时间： 2024-11-18 22:32:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 348K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2809-01MR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F15
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2809-01MR 数据手册

 浏览型号2SK2809-01MR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2809-01MR的Datasheet PDF文件第3页 
N-channel MOS-FET  
2SK2809-01MR  
FAP-IIIB Series  
60V 0,01W 50A  
50W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- Avalanche Rated  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
DC-DC converters  
-
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
V
60  
50  
DS  
I
A
D
I
200  
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±20  
V
GS  
Maximum Avalanche Energy  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
E
453  
50  
mJ*  
W
AV  
P
D
T
150  
°C  
°C  
ch  
T
-55 ~ +150  
* L=0,241mH, VCC=24V  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
60  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=60V  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
1,0  
2,0  
500  
1,0  
V
GS(th)  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
DSS  
V
GS=0V  
VGS=±20V  
ID=40A  
Gate Source Leakage Current  
I
100  
GSS  
VGS=4V  
Drain Source On-State Resistance  
R
0,012 0,017  
DS(on)  
VGS=10V  
VDS=25V  
0,0075  
55  
0,01  
W
S
ID=40A  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
25  
fs  
VDS=25V  
C
3500  
1250  
360  
15  
5250  
1870  
540  
23  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
ID=75A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
d(on)  
t
75  
120  
285  
165  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=10 W  
t
190  
110  
d(off)  
t
f
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
50  
AV  
IF=160A VGS=0V Tch=25°C  
IF=80A VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
1,15  
75  
1,65  
120  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
0,17  
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
62,5  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
2,50 °C/W  
th(ch-c)  
Collmer Semiconductor - P.O. Box 702708 - Dallas TX - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481 Fax - www.collmer.com - 11/98  
123

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与2SK2809-01MR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2809-01MR_05 FUJI

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 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK2816 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252
2SK2817 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252
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2SK2823 TOSHIBA

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 		N CHANNEL MOS TYPE (FOR PORTABLE EQUIPMENT HIGH SPEED, ANALOG SWITCH APPLICATIONS)
2SK2823_07 TOSHIBA

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 		Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment
2SK2824 TOSHIBA

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 		N CHANNEL MOS TYPE (FOR PORTABLE EQUIPMENT HIGH SPEED SWITCH, ANALOG SWITCH APPLICATIONS)

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