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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2807-01S
2SK2807-01S PDF预览

2SK2807-01S

更新时间： 2024-11-18 22:23:43
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 272K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2807-01S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：30 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：190 ns最大开启时间（吨）：38 ns
Base Number Matches：1

2SK2807-01S 数据手册

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N-channel MOS-FET  
2SK2807-01L,S  
20mW  
±35A 30W  
FAP-IIS Series  
30V  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Speed Switching  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Voltage  
- VGS = ± 30V Guarantee  
- Repetitive Avalanche Rated  
> Applications  
- Switching Regulators  
- UPS  
- DC-DC converters  
- General Purpose Power Amplifier  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-Source-Voltage  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source-Voltage  
Max. Avalanche Energy  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
V
30  
V
A
DS  
I
±35  
±140  
±16  
D
I
A
D(puls)  
V
V
GS  
E
129.3  
30  
mJ  
W
°C  
°C  
AV  
P
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
L=0,070mH, Vcc=12V  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
30  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BV  
DSS  
ID=1mA  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
I
1,0  
2,0  
500  
1,0  
100  
30  
V
GS(th)  
DSS  
VDS=30V  
VGS=0V  
VGS=±16V  
ID=17,5A  
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
mW  
mW  
S
Gate Source Leakage Current  
I
GSS  
VGS=4V  
Drain Source On-State Resistance  
R
22  
DS(on)  
VGS=10V  
VDS=25V  
14  
20  
ID=17,5A  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
C
C
C
t
16  
33  
fs  
VDS=25V  
1100  
550  
240  
9
1650  
830  
360  
15  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
oss  
rss  
d(on)  
r
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=15V  
ID=35A  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
t
75  
115  
23  
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=10 W  
t
15  
d(off)  
f
t
50  
75  
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
35  
AV  
SD  
rr  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=2xIDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
t
0,98  
50  
1,71  
V
ns  
µC  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
0,08  
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to case  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
4,16  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-c)  
th(ch-a)  
R
125,0 °C/W  
 
123

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