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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2804
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2SK2804

更新时间： 2024-11-22 22:32:39
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
MOSFET

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2SK2804 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2804 数据手册

  
2SK2804  
External dimensions  
1 ...... FM20  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
450  
max  
V(BR) DSS  
IGSS  
IDSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 100µA, VGS = 0V  
VGS = ±30V  
VDSS  
VGSS  
ID  
450  
V
V
±100  
100  
4.0  
±30  
VDS = 450V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 1mA  
VDS = 20V, ID = 2.5A  
±5  
A
VTH  
2.0  
2.6  
1
ID (pulse)  
±20  
A
*
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
Coss  
Crss  
td (on)  
tr  
3.7  
1.1  
580  
125  
50  
S
1.5  
Ω
V
GS = 10V, ID = 2.5A  
PD  
EAS  
35 (Tc = 25ºC)  
W
mJ  
A
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
2
90  
*
V
DS = 10V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
IAS  
5
150  
Tch  
Tstg  
ºC  
ºC  
20  
ID = 2.5A, VDD 200V,  
RL = 80Ω, VGS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
30  
–55 to +150  
td (off)  
tf  
55  
1: PW 100µs, duty cycle 1%  
2: VDD = 30V, L = 6.7mH, IL = 5.0A, unclamped, RG = 50Ω,  
See Figure 1 on Page 5.  
*
*
50  
VSD  
0.9  
1.4  
ISD = 5A, VGS = 0V  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
1.5  
1.0  
0.5  
0
5
5
VDS = 20V  
10V  
VGS = 10V  
6V  
5.5V  
4
3
4
3
2
TC = –55ºC  
25ºC  
5V  
2
1
0
125ºC  
1
0
VGS = 4.5V  
0
5
10  
15  
20  
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
10  
8
10  
5
3.0  
2.5  
VDS = 20V  
ID = 2.5A  
VGS = 10V  
TC = –55ºC  
25ºC  
125ºC  
2.0  
1.5  
1.0  
ID = 5A  
6
1
4
ID = 2.5A  
0.5  
2
0
0.5  
0
0.2  
0.05 0.1  
4
5
10  
20  
150  
0.5  
1
5
–50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
2000  
1000  
500  
5
4
3
2
1
0
30  
40  
VGS = 0V  
ID (pulse) max  
ID max  
f= 1MHz  
10  
5
Ciss  
30  
20  
10  
0
1
100  
50  
VGS = 0V  
5V,10V  
Coss  
Crss  
0.5  
0.1  
Without heatsink  
10  
0.05  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
0.5  
1.0  
1.5  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
150  
3
5
10  
50 100  
VDS (V)  
500  
VDS (V)  
VSD (V)  
42  
1

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