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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2802 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching |
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| 2SK2802ZV | RENESAS |
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0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2802ZV-01 | RENESAS |
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0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2802ZV-TL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2802ZV-TL | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2802ZV-TR | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2802ZV-UL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2802ZV-UL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2802ZV-UR | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK2802ZV-UR | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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