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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 350 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.83 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2799 | SHINDENGEN |
获取价格 |
VX-2 Series Power MOSFET(350V 10A) |
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| 2SK2800 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2800 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2800-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2801 | RENESAS |
获取价格 |
50A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| 2SK2802 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching |
|
| 2SK2802ZV | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2802ZV-01 | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2802ZV-TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK2802ZV-TL | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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