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2SK2793

更新时间: 2024-11-23 22:52:55
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罗姆 - ROHM 开关
页数 文件大小 规格书
4页 142K
描述
Switching (500V, 5A)

2SK2793 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220FN, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:1.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2793 数据手册

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Transistors  
Switching (500V, 5A)  
2SK2793  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low on-resistance.  
2) Fast switching speed.  
3) Wide SOA (safe operating area).  
4) Gate-source voltage (VGSS) guaran-  
teed to be ±30V.  
5) Easily designed drive circuits.  
6) Easy to parallel.  
FStructure  
Silicon N-channel  
MOSFET  
FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)  
FPackaging specifications  
162  

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