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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.31 | 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2604(T) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N-CH 800V 5A 2-16C1B |
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| 2SK2604_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications |
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| 2SK2604_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator Applications |
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| 2SK2605 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS) |
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| 2SK2605_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications |
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| 2SK2605_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator Applications |
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| 2SK2606 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
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| 2SK2606_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SK2606_09 | TOSHIBA |
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DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SK2607 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
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