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2SK2605

更新时间: 2024-11-14 22:32:43
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东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
5页 289K
描述
N CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS)

2SK2605 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-67包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.39Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):370 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:2.2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:45 W最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):15 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2605 数据手册

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