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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK210-Y | TOSHIBA |
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type |
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| 2SK210-YTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal |
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| 2SK211 | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (FM TUNER, VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK211_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel Junction Type FM Tuner Applications |
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| 2SK2110 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SK2110 | TYSEMI |
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Low on-resistance RDS(on)=1.5 MAX High switching speed Drain to source voltage VDSS 100 |
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| 2SK2110 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK2111 | TYSEMI |
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Low on-resistance RDS(on)=0.6 MAX.VGS=4.0V,ID=0.5A High switching speed |
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| 2SK2111 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SK2111 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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