5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SK2112
2SK2112 PDF预览

2SK2112

更新时间： 2024-11-04 22:52:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 61K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK2112 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
其他特性：GATE PROTECTED外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：2 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2112 数据手册

 浏览型号2SK2112的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2112的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2112的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2112的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2112的Datasheet PDF文件第6页 
DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2112  
N-CHANNEL MOS FET  
FOR HIGH-SPEED SWITCHING  
The 2SK2112 is a N-channel MOS FET of a vertical type and  
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)  
is a switching element that can be directly driven by the output of  
an IC operating at 5 V.  
4.5 ± 0.1  
1.5 ± 0.1  
1.6 ± 0.2  
This product has a low ON resistance and superb switching  
characteristics and is ideal for driving the actuators, such as  
motors and DC/DC converters.  
D
S
G
0.42  
±0.06  
0.42  
±0.06  
0.47  
1.5  
FEATURES  
±0.06  
+0.03  
0.41  
–0.05  
3.0  
•
•
•
Low ON resistance  
RDS(on) = 1.2 Ω MAX. @VGS = 4.0 V, ID = 0.5 A  
High switching speed  
EQUIVALENT CIRCUIT  
ton + toff < 100 ns  
Drain (D)  
Low parasitic capacitance  
Gate (G)  
Internal diode  
Gate protection  
diode  
PIN CONNECTIONS  
S: Source  
D: Drain  
Source (S)  
G: Gate  
Marking: NV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
PARAMETER  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
SYMBOL  
VDSS  
TEST CONDITIONS  
RATING  
UNIT  
VGS = 0  
VDS = 0  
100  
±20  
V
V
A
A
VGSS  
ID(DC)  
±1.0  
±2.0  
Drain Current (Pulse)  
ID(pulse)  
PW ≤ 10 ms,  
Duty cycle ≤ 50 %  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
PT  
16 cm2 × 0.7 mm, ceramic substrate used  
2.0  
W
Tch  
Tstg  
150  
˚C  
–55 to +150  
˚C  
Document No. D11232EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published June 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
123456

中文翻译

下载PDF

与2SK2112相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2112-AZ NEC

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2113 ETC

获取价格
2SK2113YY RENESAS

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-TL RENESAS

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-TR RENESAS

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-UL RENESAS

获取价格

 		UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET
2SK2113YY-UR RENESAS

获取价格

 		UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET
2SK2114 HITACHI

获取价格

 		Silicon N-Channel MOS FET
2SK2114 RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET
2SK2114|2SK2115 ETC

获取价格

与2SK2112相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证