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2SK2112

更新时间： 2024-11-17 22:52:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 61K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SK2112 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
其他特性：GATE PROTECTED外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：2 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2112 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2112  
N-CHANNEL MOS FET  
FOR HIGH-SPEED SWITCHING  
The 2SK2112 is a N-channel MOS FET of a vertical type and  
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)  
is a switching element that can be directly driven by the output of  
an IC operating at 5 V.  
4.5 ± 0.1  
1.5 ± 0.1  
1.6 ± 0.2  
This product has a low ON resistance and superb switching  
characteristics and is ideal for driving the actuators, such as  
motors and DC/DC converters.  
D
S
G
0.42  
±0.06  
0.42  
±0.06  
0.47  
1.5  
FEATURES  
±0.06  
+0.03  
0.41  
–0.05  
3.0  
•
•
•
Low ON resistance  
RDS(on) = 1.2 Ω MAX. @VGS = 4.0 V, ID = 0.5 A  
High switching speed  
EQUIVALENT CIRCUIT  
ton + toff < 100 ns  
Drain (D)  
Low parasitic capacitance  
Gate (G)  
Internal diode  
Gate protection  
diode  
PIN CONNECTIONS  
S: Source  
D: Drain  
Source (S)  
G: Gate  
Marking: NV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
PARAMETER  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
SYMBOL  
VDSS  
TEST CONDITIONS  
RATING  
UNIT  
VGS = 0  
VDS = 0  
100  
±20  
V
V
A
A
VGSS  
ID(DC)  
±1.0  
±2.0  
Drain Current (Pulse)  
ID(pulse)  
PW ≤ 10 ms,  
Duty cycle ≤ 50 %  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
PT  
16 cm2 × 0.7 mm, ceramic substrate used  
2.0  
W
Tch  
Tstg  
150  
˚C  
–55 to +150  
˚C  
Document No. D11232EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published June 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
123456

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与2SK2112相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2112-AZ NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2113 ETC

获取价格
2SK2113YY RENESAS

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-TL RENESAS

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-TR RENESAS

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-UL RENESAS

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 		UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET
2SK2113YY-UR RENESAS

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 		UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET
2SK2114 HITACHI

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 		Silicon N-Channel MOS FET
2SK2114 RENESAS

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 		Silicon N Channel MOS FET
2SK2114|2SK2115 ETC

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