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2SK2114

更新时间: 2024-11-18 06:25:39
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7页 82K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK2114 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:TO-220C, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.37外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:1.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):35 W最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2114 数据手册

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2SK2114  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0998-0200  
(Previous: ADE-208-1346)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for Switching regulator  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AE-A  
(Package name: TO-220CFM)  
D
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
G
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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