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2SK2114

更新时间： 2024-09-14 22:52:51
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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6页 36K
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Silicon N-Channel MOS FET

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2SK2114, 2SK2115  
Silicon N-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for Switching regulator  
Outline  
TO-220CFM  
1
D
2
3
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
S
123456

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