2SK2110

更新时间： 2024-11-17 22:52:51

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日电电子 - NEC		晶体开关小信号场效应晶体管
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6页	61K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SK2110 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SC-62, POWER MINIMOLD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2110 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2110

N-CHANNEL MOS FET

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SK2110 is a N-channel MOS FET of a vertical type and

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

is a switching element that can be directly driven by the output of

an IC operating at 5 V.

4.5 ± 0.1

1.5 ± 0.1

1.6 ± 0.2

This product has a low ON resistance and superb switching

characteristics and is ideal for driving the actuators, such as

motors and DC/DC converters.

0.42

±0.06

0.42

±0.06

0.47

1.5

FEATURES

±0.06

+0.03

0.41

–0.05

3.0

•

Low ON resistance

R^DS(on)= 1.5 Ω MAX. @VGS = 4.0 V, ID = 0.3 A

High switching speed

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain (D)

t^on+ toff < 100 ns

Low parasitic capacitance

Gate (G)

Internal diode

PIN CONNECTIONS

Gate

protection

diode

S: Source

D: Drain

G: Gate

Source (S)

Marking: NT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

SYMBOL

VDSS

TEST CONDITIONS

RATING

UNIT

VGS = 0

VDS = 0

100

±20

VGSS

ID(DC)

±0.5

±1.0

Drain Current (Pulse)

ID(pulse)

PW ≤ 10 ms,

Duty cycle ≤ 50 %

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

16 cm²× 0.7 mm, ceramic substrate used

2.0

150

˚C

Tch

Tstg

–55 to +150

Document No. D11230EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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与2SK2110相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2111	TYSEMI	获取价格	Low on-resistance RDS(on)=0.6 MAX.VGS=4.0V,ID=0.5A High switching speed
2SK2111	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2111	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK2112	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK2112	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2112	TYSEMI	获取价格	Low on-resistance RDS(on)=1.2 MAX. VGS=4.0V,ID=0.5A High switching speed
2SK2112-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2113	ETC	获取价格
2SK2113YY	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-TL	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch

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