2SK2111

更新时间： 2024-11-17 22:52:51

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日电电子 - NEC		晶体开关小信号场效应晶体管
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6页	60K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SK2111 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	其他特性：	GATE PROTECTED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2111 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2111

N-CHANNEL MOS FET

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SK2111 is a N-channel MOS FET of a vertical type and

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

is a switching element that can be directly driven by the output of

an IC operating at 5 V.

4.5 ± 0.1

1.5 ± 0.1

1.6 ± 0.2

This product has a low ON resistance and superb switching

characteristics and is ideal for driving the actuators, such as

motors and DC/DC converters.

0.42

±0.06

0.42

±0.06

0.47

1.5

FEATURES

±0.06

+0.03

0.41

–0.05

3.0

•

Low ON resistance

R^DS(on)= 0.6 Ω MAX. @VGS = 4.0 V, ID = 0.5 A

High switching speed

EQUIVALENT CIRCUIT

t^on+ toff < 100 ns

Drain (D)

Low parasitic capacitance

Gate (G)

Internal diode

Gate protection

diode

PIN CONNECTIONS

S: Source

D: Drain

Source (S)

G: Gate

Marking: NU

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

SYMBOL

VDSS

TEST CONDITIONS

RATING

UNIT

VGS = 0

VDS = 0

VGSS

±20

±1.0

±2.0

ID(DC)

Drain Current (Pulse)

ID(pulse)

PW ≤ 10 ms,

Duty cycle ≤ 50 %

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

16 cm²× 0.7 mm, ceramic substrate used

2.0

150

˚C

Tch

Tstg

–55 to +150

Document No. D11231EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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与2SK2111相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2112	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK2112	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2112	TYSEMI	获取价格	Low on-resistance RDS(on)=1.2 MAX. VGS=4.0V,ID=0.5A High switching speed
2SK2112-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2113	ETC	获取价格
2SK2113YY	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-TL	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-TR	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch
2SK2113YY-UL	RENESAS	获取价格	UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET
2SK2113YY-UR	RENESAS	获取价格	UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET

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