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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK2111
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2SK2111

更新时间： 2024-09-14 22:52:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SK2111 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N其他特性：GATE PROTECTED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2111 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2111  
N-CHANNEL MOS FET  
FOR HIGH-SPEED SWITCHING  
The 2SK2111 is a N-channel MOS FET of a vertical type and  
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)  
is a switching element that can be directly driven by the output of  
an IC operating at 5 V.  
4.5 ± 0.1  
1.5 ± 0.1  
1.6 ± 0.2  
This product has a low ON resistance and superb switching  
characteristics and is ideal for driving the actuators, such as  
motors and DC/DC converters.  
D
S
G
0.42  
±0.06  
0.42  
±0.06  
0.47  
1.5  
FEATURES  
±0.06  
+0.03  
0.41  
–0.05  
3.0  
•
•
•
Low ON resistance  
RDS(on) = 0.6 Ω MAX. @VGS = 4.0 V, ID = 0.5 A  
High switching speed  
EQUIVALENT CIRCUIT  
ton + toff < 100 ns  
Drain (D)  
Low parasitic capacitance  
Gate (G)  
Internal diode  
Gate protection  
diode  
PIN CONNECTIONS  
S: Source  
D: Drain  
Source (S)  
G: Gate  
Marking: NU  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
PARAMETER  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
SYMBOL  
VDSS  
TEST CONDITIONS  
RATING  
UNIT  
VGS = 0  
VDS = 0  
60  
V
V
A
A
VGSS  
±20  
±1.0  
±2.0  
ID(DC)  
Drain Current (Pulse)  
ID(pulse)  
PW ≤ 10 ms,  
Duty cycle ≤ 50 %  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
PT  
16 cm2 × 0.7 mm, ceramic substrate used  
2.0  
150  
W
˚C  
˚C  
Tch  
Tstg  
–55 to +150  
Document No. D11231EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published June 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
123456

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与2SK2111相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2112 KEXIN

获取价格

 		MOS Field Effect Transistor
2SK2112 NEC

获取价格

 		N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2112 TYSEMI

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 		Low on-resistance RDS(on)=1.2 MAX. VGS=4.0V,ID=0.5A High switching speed
2SK2112-AZ NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2113 ETC

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2SK2113YY RENESAS

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2SK2113YY-TL RENESAS

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