2SK2109

更新时间： 2024-11-19 22:52:51

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日电电子 - NEC		晶体开关小信号场效应晶体管
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6页	60K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SK2109 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	其他特性：	GATE PROTECTED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2109 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2109

N-CHANNEL MOS FET

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SK2109 is a N-channel MOS FET of a vertical type and

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

is a switching element that can be directly driven by the output of

an IC operating at 5 V.

4.5 ± 0.1

1.5 ± 0.1

1.6 ± 0.2

This product has a low ON resistance and superb switching

characteristics and is ideal for driving the actuator, such as motors

and DC/DC converters.

0.42

±0.06

0.42

±0.06

0.47

1.5

±0.06

+0.03

FEATURES

0.41

–0.05

3.0

•

Low ON resistance

R^DS(on)= 1.0 Ω MAX. @VGS = 4.0 V, ID = 0.3 A

High switching speed

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain (D)

t^on+ toff < 100 ns

Low parasitic capacitance

Gate (G)

Internal diode

Gate protection

diode

PIN CONNECTIONS

S: Source

D: Drain

Source (S)

G: Gate

Marking: NS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

SYMBOL

VDSS

TEST CONDITIONS

RATING

UNIT

VGS = 0

VDS = 0

VGSS

±20

±0.5

±1.0

ID(DC)

Drain Current (Pulse)

ID(pulse)

PW ≤ 10 ms,

Duty cycle ≤ 50 %

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

16 cm²× 0.7 mm, ceramic substrate used

2.0

Tch

Tstg

150

˚C

–55 to +150

˚C

Document No. D11229EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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与2SK2109相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2109-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK210BL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 12MA I(DSS) \| SC-59
2SK210-BL	TOSHIBA	获取价格	FM Tuner Applications VHF Band Amplifier Applications
2SK210-BLTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal
2SK210-BLTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal
2SK210GR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 6MA I(DSS) \| SC-59
2SK210-GR	TOSHIBA	获取价格	FM Tuner Applications VHF Band Amplifier Applications
2SK210GRTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal
2SK210-GRTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal
2SK210GRTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal

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