5秒后页面跳转
2SK2108 PDF预览

2SK2108

更新时间: 2024-11-19 22:52:51
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 开关
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
Very High-Speed Switching Applications

2SK2108 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220ML
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A最大漏极电流 (ID):6 A
最大漏源导通电阻:0.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):25 W最大脉冲漏极电流 (IDM):24 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2108 数据手册

 浏览型号2SK2108的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2108的Datasheet PDF文件第3页 

与2SK2108相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2109 NEC

获取价格

N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2109 KEXIN

获取价格

MOS Field Effect Transistor
2SK2109 TYSEMI

获取价格

Low on-resistance RDS(on)=1.0 MAX High switching speed
2SK2109-AZ NEC

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK210BL ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12MA I(DSS) | SC-59
2SK210-BL TOSHIBA

获取价格

FM Tuner Applications VHF Band Amplifier Applications
2SK210-BLTE85L TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal
2SK210-BLTE85R TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal
2SK210GR ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SC-59
2SK210-GR TOSHIBA

获取价格

FM Tuner Applications VHF Band Amplifier Applications