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2SK1838STL-E

更新时间: 2024-01-20 19:59:51
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲ISM频段
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1838STL-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-63包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.69
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):250极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):10 W最大脉冲漏极电流 (IDM):2 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1838STL-E 数据手册

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2SK1838(L), 2SK1838(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0980-0300  
Rev.3.00  
Nov 21, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator, DC-DC converter  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-A  
(Package name: DPAK(L)-(1))  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C  
(Package name: DPAK(S))  
4
D
4
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
S
1
2
3
Rev.3.00 Nov 21, 2005 page 1 of 7  

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