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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1846TX | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK1847 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1847(KJ)TB | ONSEMI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK1848 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK1849 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK1849(MJ)TB | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK184BL | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK184-BL | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1C, 3 PIN, FET General Purpose Small Sig |
|
| 2SK184GR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | SPAK |
|
| 2SK184-GR | TOSHIBA |
获取价格 |
Low Noise Audio Amplifier Applications |
|
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