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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1858(2-10S1B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 800 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220FL, 3 PIN, FET General P |
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| 2SK1858(2-10S2B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 800 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, 3 PIN, FET General P |
|
| 2SK1858TE24R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 800 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1859 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1859 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1859-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK186 | ETC |
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| 2SK1860 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel Junction FET |
|
| 2SK1861 | SHINDENGEN |
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2SK1861 |
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| 2SK1862 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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