是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-3PFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.21 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A |
最大漏极电流 (ID): | 6 A | 最大漏源导通电阻: | 3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 15 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK1859-E | RENESAS |
类似代替 |
Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1859 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon N-Channel MOS FET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1859-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET | |
2SK186 | ETC |
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||
2SK1860 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel Junction FET | |
2SK1861 | SHINDENGEN |
获取价格 |
2SK1861 | |
2SK1862 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1862|2SK1863 | ETC |
获取价格 |
||
2SK1862-E | RENESAS |
获取价格 |
3A, 450V, 2.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, SC-67, TO-220FM, 3 PIN | |
2SK1863 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1863-E | RENESAS |
获取价格 |
3A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, SC-67, TO-220FM, 3 PIN | |
2SK1864 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |