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2SK1861

更新时间: 2024-01-04 04:47:15
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新电元 - SHINDENGEN 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 408K
描述
2SK1861

2SK1861 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.9Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
最大漏极电流 (ID):4 A最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:10 W最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):121 ns最大开启时间(吨):57 ns
Base Number Matches:1

2SK1861 数据手册

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SHINDENGEN  
VR Series Power MOSFET  
N-Channel Enhancement type  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SK1861  
Case : E-pack  
(Unit : mm)  
( F04E15L )  
150V 4A  
RATINGS  
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25Ž)  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Storage Temperature  
Tstg  
Tch  
VDSS  
VGSS  
ID  
-55 to 150  
Ž
Channel Temperature  
150  
150  
±20  
4
Drain-Source Voltage  
V
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current
i
DC
j  
Continuous Drain Current
i
Peak)  
Continuous Source Current DC  
Total Power Dissipation  
IDP  
IS  
12  
4
A
PT  
10  
W
Copyright & Copy;2003 Shindengen Electric Mfg.Co.,Ltd.  

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