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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220SM |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1865SMTE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, TO-220SM, 3 PIN, |
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| 2SK1865TE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1867 | ETC |
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| 2SK1868 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK1869 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1869(L) | RENESAS |
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0.8ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
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| 2SK1869(L) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.8ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 |
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| 2SK1869(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.8ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
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| 2SK1869(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1869(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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