5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1867 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK1868 | PANASONIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SK1869 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1869(L) | RENESAS |
获取价格 |
0.8ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
|
| 2SK1869(L) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.8ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 |
|
| 2SK1869(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.8ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
|
| 2SK1869(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK1869(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK1869L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1869S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
